Формирование Нанопленок CoSi2 На Поверхности Si При Твердофазном Осаждении

Abstract

В работе для получения упорядоченно расположенных нанофаз Со и CoSi2, на поверхности Si предварительгно создаются зародыши методом бомбардировки ионами Ar+ с Е0=0,5 keV и D=8•1013 cm-2. Установлено, что при толщине слоя Со менее чем 3 ML в зонной структуре появляется узкая запрещённая зона (Еg  0,3 eV). Металлические свойства пленки Со проявляются при толщине больше чем 4-5 ML. Прогрев системы Co/Si(111) при Т=900 K приводит к образованию нанофаз и нанопленок CoSi2. Еg нанофаз CoSi2 с Ɵ  3 монослоя составляет ~0,8 eV, а пленки CoSi2 - 0,6 eV.