Технология Получения Тонкослойных Гетероструктур N-Cds/p-CeF3 И Исследование Их Электрических Свойств

Authors

  • Саидов Сафо Олимович Кандидат химических наук, доцент кафедры «Физика» Бухарского государственного университета, Бухара, Узбекистан
  • Камолов Журабек Жалол угли Асситент кафедры «Биофизика и информационно-инновационные технологии в медицине» Бухарского государственного медицинского института им. Абу Али ибн Сино, Бухара

Keywords:

Технология получения тонкослойных гетероструктур, n-CdS/p-CeF3, электрические свойства, механизм передачи тока, многоступенчатая туннельная рекомбинация, процессы связанные с состояниями поверхности, механизм переноса носителей заряда

Abstract

В статье приведены технология получения тонкослойных гетероструктур n-CdS/p-CeF3 и результаты исследования их электрических свойств. Показано, что доминирующим механизмом передачи тока в низших звеньях (3kT/e<V<1 B) является многоступенчатая туннельная рекомбинация и процессы, связанные с состояниями поверхности CeF3/CdS. Основными механизмами переноса носителей заряда в обратном направлении являются (0,12 <|V| <0,6 Ом) эмиссия Френкеля-Пулла и (0,5 <|V| <1,5 Ом) туннелирование через потенциальный барьер.

Downloads

Published

2022-11-10

How to Cite

Олимович, С. С. ., & угли, К. Ж. Ж. . (2022). Технология Получения Тонкослойных Гетероструктур N-Cds/p-CeF3 И Исследование Их Электрических Свойств. Miasto Przyszłości, 29, 72–78. Retrieved from https://miastoprzyszlosci.com.pl/index.php/mp/article/view/708

Issue

Vol. 29 (2022): Miasto Przyszłości

Section

Articles

Most read articles by the same author(s)